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DRAM芯片市场行情超出NAND flash

  2007-6-15

【文章名称】 DRAM芯片市场行情超出NAND flash
【关 键 词】 DRAM芯片 市场行情 超出 NAND flash

  我国台湾DRAM芯片制造业界传出消息称,到六月份月末,DRAM芯片价格将跌至谷底,并将很快迎来季节性反弹。预计在近期,DRAM芯片的出货量将全面超出NANDflash芯片。
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    自六月份开始,随着PCOEM厂商纷纷开始季节性规模存货,DRAM芯片价格急剧下滑的势头有所缓解。我国台湾地区的DRAM芯片厂商、包括韩国的Hynix半导体公司等,它们的DRAM芯片库存压力将得到相对释缓。对于全球整个DRAM芯片制造业界来说,DRAM芯片将随着季节性需求的反弹而出现转机。

 

 

    随着DRAM芯片价格的小幅涨动,eTTDRAM内存的价格应该在1.5美元左右,此前,该芯片的价格曾一度跌至1.3美元。随着夏季——传统需求旺季的到来,预计eTTDRAM芯片的价格会反弹到2-2.3美元左右。

 

    DRAM芯片上浮同时,预计NANDflash芯片的价格反弹尚需时日,估计将推迟至九月份。在整个存储芯片业界,DRAM芯片和NANDflash芯片市场行情在夏季同时出现上涨情况实属罕见。估计在从九月份开始后的一个月时间内,有望出现DRAM芯片和NANDflash芯片需求双双上涨局面。


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